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模擬集成電路的分析與設計第四版是全球著名電路設計電子書(shū)之一,電路設計學習參(cān)考價值非常大,第四版從的CMOS電路、單純的雙極電路、CMOS和雙極結合等係統(tǒng)介紹,電路知識一手掌握(wò),趕緊下載吧
模擬集成電路的分析與設計(翻譯版(bǎn))(第4版)
《模擬集成電路的(de)分析與設計(翻譯版)(第4版)》介紹模(mó)擬集成電路的分析與設計。全麵闡述(shù)了模擬集成電路的基本原理和概念,同時還闡述了模擬集成電路的新(xīn)技術和新《模擬集成電路的分析與設計(翻譯版)(第4版)》共(gòng)十(shí)二章。前七章介紹了集成電路放大(dà)器件模型,雙極型、MOS和BICMOS集成電路技術,單級(jí)放大器與多級放大器,鏡(jìng)像電流源、有源負載和基準源,輸出級,單端輸出(chū)的(de)運算放大器以及集(jí)成電路的(de)頻率呼應第八、九章介紹了反饋,反饋放大器的頻率呼應(yīng)和穩定性,第十章至十二章介紹了非線性模擬電路,集成電(diàn)路的噪聲和全差(chà)分(fèn)運算廣大器。
《模擬集成電路的分析與設計(翻(fān)譯版)(第4版)》是(shì)現代模擬集成電路分析與設計的教材或參考書。既可以作為研究生或高年級(jí)本科生(shēng)的教科書,也(yě)可作(zuò)應用工程的參考書,同時又是一本比較全麵、係統的模擬集成電路方麵的專著。
第一章(zhāng) 集成電路放大器件模型
1.1 引言
1.2 PN結的耗盡區
1.3 雙極(jí)型晶體管的大信號(hào)特性
1.4 雙極型晶體(tǐ)管(guǎn)的小信號模型
1.5 金屬氧化物效晶體管(guǎn)的大信號特性
1.6 MOS晶體管的小(xiǎo)信號模型
1.7 MOS晶體管(guǎn)的短溝道效應
1.8 MOS晶體客中的弱反型
1.9 晶體管中的襯底電流
附(fù)錄
a.1.1 有源器件參數列表
第二章 雙極型(xíng)、MOS和BICMOS集成電路技術
2.1 引言
2.2 集成電路產生的基本過程
2.3 高壓雙極型集成電路的製造
2.4 高級雙極型集成電路的製造
2.5 雙極型模擬集成電(diàn)路中的放大器件
2.6 雙極型集成電路中的無源元(yuán)件
2.7 基本雙極(jí)型工藝的(de)改進
2.8 MOS集成電路的製(zhì)造
2.9 MOS集成電路中的有源器(qì)件
2.10 MOS工藝中的無源器件
2.11 BICMOS技術
2.12 異質結雙極型(xíng)晶體管
2.13 互連延遲
2.14 集成電路(lù)製造過程的經濟意義
2.15 集成電路的封裝因素
附錄
a.2.1 SPICE模型(xíng)參數
第三(sān)章 單(dān)級放大器(qì)與多級放大器
3.1 模擬電路近似分(fèn)析中器件模型的選擇
3.2 放大器的二端口模型
3.3 基本單管放大器
3.4 多級放大器
3.5 差分對
a3.1 靜態初步和高(gāo)斯分布
第四 章鏡像電(diàn)流源、有源(yuán)負載和基準源(yuán)
4.1 引言
4.2 鏡像電流源
4.3 有源負載
4.4 電壓和電流基準源
附錄
a.4.1 考慮鏡像電流源的匹配
a.4.2 有源負(fù)載差分對的輸入失(shī)調電壓
第五章 輸出級
5.1 引言
5.2 射隨器作為輸出級(jí)
5.3 源(yuán)極跟隨器作(zuò)為輸出級
5.4 乙類放大器推挽式輸出級
5.5 cMOS甲乙類輸出級
第六章 單端輸出的運算放大器
6.1 運算放(fàng)大器的應用
6.2 從理想運算放大器到(dào)實際運算(suàn)放大器的偏離
6.3 基本的二級MOS運算放大(dà)器
6.4 具有串(chuàn)接放大器的二級MOS運算放大器
6.5 MOS管可伸縮式串接運算放大器
6.6 MOS管折疊串接(jiē)運算放大器
6.7 MOS管有源串接運算放大器(qì)
6.8 雙極型運算放大器(qì)
6.9 單片集成運(yùn)算放大器(qì)的設計中要考慮的問題
第七章 集成電路的頻率響應
7.1 引(yǐn)言
7.2 單級放大器
7.3 多級放(fàng)大器的頻率響應
7.4 741運算放大(dà)器的頻率響(xiǎng)應分析
7.5 頻率響(xiǎng)應和時間響應的關係
第八章 反饋(kuì)
8.1 理想反饋方程
8.2 增益靈敏度
8.3 負反饋對失真的影響
8.4 反饋結構
8.5 實際組態及負(fù)載的影響
8.6 單(dān)級反饋
8.7 反饋電路用(yòng)作穩壓器
8.8 使用反饋比的反饋電路分析
8.9 在反饋電路(lù)中建立(lì)輸入和輸出端口的模型
第九章 反饋放(fàng)大器的頻率響應和穩定性
9.1 引言
9.2 反饋放大(dà)器中增益與帶寬的(de)關(guān)係(xì)
9.3 不穩定(dìng)性和奈奎斯特(tè)判據
9.4 補償
9.5 根軌跡
9.6 擺率
附錄
a.9.1 反饋比(bǐ)參數術(shù)語分析
a.9.2 二次(cì)方程根
第十章 非線性模擬電路
10.1 引言
10.2 精密整流(liú)
10.3 使(shǐ)用雙(shuāng)極(jí)型晶體管的模擬(nǐ)乘法
10.4 鎖相環路(PLL)
10.5 非線性(xìng)函數綜(zōng)合
第(dì)十一章 集成電路的噪聲
11.1 引言
11.2 噪聲源
11.3 集成(chéng)電路元件的噪(zào)聲模型
11.4 電路噪聲(shēng)的計算
11.5 等效輸入噪聲源
11.6 在噪聲特性下的反(fǎn)饋
11.7 其他晶體管結構的噪聲特性
11.8 運算放(fàng)大器噪聲
11.9 噪(zào)聲帶寬
11.10 噪聲因數和(hé)噪聲溫度
第十(shí)二章 全差分運算(suàn)放(fàng)大器
12.1 引言
12.2 全差分放大(dà)器(qì)的性能
12.3 對(duì)稱差分放大器的小信號(hào)模型
12.4 共(gòng)模反饋(kuì)
12.5 共模反饋電路
12.6 全差分運算放大器
12.7 不對稱的全差分電路
12.8 共模反饋環路的帶寬
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